大森 雅登
（オオモリ マサト）
理工学部理工学科 電気エネルギー・電子工学プログラム 准教授
先端技術・GX研究センター 副センター長
専門：半導体工学
半導体はパソコンやスマートフォン，ゲーム機，デジタルカメラなど様々な電子機器の心臓部として，私たちの生活をますます便利で豊かなものにしてくれています。半導体は快適な暮らしを支えるだけではなく，脱炭素社会や省エネルギー社会を実現するための切り札としても大きな期待が寄せられています。すでに半導体は太陽光発電やLED照明として省エネルギー化に貢献していますが，最近ではパワーデバイスという電力を効率よく制御する半導体に注目が集まっています。我々はこのような省エネルギー用の半導体をはじめ，安心安全な社会にも役立つ半導体の研究に取り組んでいます。
半導体材料の物性評価と新評価技術の開発
高性能・高機能な半導体デバイスを実現させるためには，半導体材料の結晶性や不純物濃度，電気伝導率などの物性パラメーターの正確な理解と制御が必要不可欠です。当研究室ではフォトルミネッセンス法やホール効果測定などの種々の光学的・電気的測定手法を用いて半導体材料の物性を詳しく評価する研究を行っています。また，従来手法では評価が困難な材料に対して新しい測定技術の開発にも取り組んでいます。
窒化ガリウム（GaN）を用いた高効率パワーデバイスの研究
窒化ガリウム（GaN）は青色発光ダイオードの材料としてよく知られていますが，最近では高効率な電力変換素子（パワーデバイス，パワー半導体）としての活用も進められています。もし既存の半導体デバイスをすべてGaNに置き換えることができれば、日本の全発電量の約１割を節約できると言われており，省エネルギー材料として注目が集まっています。当研究室ではまだ実現されていない高い電圧領域で動作する縦型GaNパワーデバイスの研究を行っています。具体的にはGaNへのイオン注入技術の確立や電界効果トランジスタのチャネル移動度の向上，新構造パワートランジスタの実現などに取り組んでいます。
